发明名称 |
优化连接器特征的方法 |
摘要 |
一种优化连接器特征的方法,该特征由在晶片材料上的壁界定,使其达到高于1微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中,用该反映气体对壁进行处理,使该壁变成一种包覆层材料,而且以一种限定的,均匀的方式从壁向外扩张,直至达到该特征精度内的理想尺寸。另一种优化连接器特征的方法,该特征由在晶片材料上的壁界定,使其达到高于1微米的精度,该方法包括使壁的至少一部分暴露在反应气体中,使壁的至少一部分和反应气体反应,形成氧化物,从而壁的至少一部分上形成一种基底材料,使得更容易在壁上,在基底材料的顶部以限定的,均匀的方式镀覆材料,和在壁的至少一部分上镀覆材料,直至达到该特征精度内的理想尺寸。 |
申请公布号 |
CN1261783C |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN02813099.5 |
申请日期 |
2002.06.28 |
申请人 |
美莎诺普有限公司 |
发明人 |
格雷格·杜德夫;基思·康 |
分类号 |
G02B6/36(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B6/36(2006.01) |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 |
代理人 |
傅强国 |
主权项 |
1.一种优化连接器特征的方法,该特征由晶片材料上的一个壁界定,精度高于1微米,其特征在于,该方法包括:通过将壁暴露在反应气体中用反应气体对壁进行处理,使壁氧化从而变成包覆层材料,而且以一种限定的,均匀的方式向外扩张,直至达到该特征精度内的理想尺寸。 |
地址 |
美国新罕布什尔州 |