发明名称 |
溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用 |
摘要 |
本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料,通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液,从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干,或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后,再在400℃-600℃温度下退火;在加温退火过程中先形成晶化诱导点,以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10-200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程,可控制晶粒的大小。本发明可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域。 |
申请公布号 |
CN1794424A |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN200510015748.X |
申请日期 |
2005.10.28 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
吴春亚;孟志国;熊绍珍;赵淑云 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
代理机构 |
天津市学苑有限责任专利代理事务所 |
代理人 |
赵尊生 |
主权项 |
1、一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料,它是在衬底上形成金属诱导多晶硅,其特征在于所述的多晶硅是大晶粒多晶硅薄膜,晶粒直径10-200微米。 |
地址 |
300071天津市卫津路94号南开大学信息技术科学学院 |