| 发明名称 | 单一晶体管平面随机存取存储单元 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种单一晶体管平面随机存取存储单元，以其改善电荷保存能力，包括一通栅晶体管结构与一储存晶体管结构形成于一硅基底上，且此通栅晶体管结构与此储存晶体管结构分开，以在一第一掺杂区形成一空间距离；以及一侧壁间隙壁材料邻近于上述通栅晶体管结构的两侧，且此侧壁间隙壁材料覆盖部分一第二掺杂区且完全覆盖上述第一掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN2791884Y | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200420118171.6 | 申请日期 | 2004.11.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄智睦;金明铸;张沄 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种单一晶体管平面随机存取存储单元，其特征在于，包括：一通栅晶体管结构与一储存晶体管结构形成于一硅基底上，且此通栅晶体管结构与此储存晶体管结构分开，以在一第一掺杂区形成一空间距离；以及一侧壁间隙壁材料邻近于上述通栅晶体管结构的两侧，且此侧壁间隙壁材料覆盖部分一第二掺杂区且完全覆盖上述第一掺杂区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||