加工硅晶片的方法

摘要

用于加工硅晶片的方法，其包括：步骤(11)，其中将单晶坯锭切成薄盘状晶片；步骤(13)，其中将每个晶片的表面研磨成平面；步骤(14)，其中对晶片进行碱性清洗，去除先前机械加工带来的污染物；以及步骤(16)，其中将晶片在两组腐蚀槽之间交替轮换，其中一组中含有酸性腐蚀液，另一组中含有碱性腐蚀液，其中在步骤11和步骤13之间引入另外的步骤(12)，其中将晶片浸在含有的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO₃)的体积比(HF/HNO₃)为1/8－1/2的酸性溶液中，这样，就可以去除机械加工在晶片前后表面上带来的质量下降的表面层，并将其边缘表面斜切。本发明方法简化了晶片加工所含的步骤，减少了伴随机械斜切的碱性清洗的干扰，由此降低了被可能来自碱性清洗的金属杂质污染的危险。

主权项

1.加工硅晶片的方法，包括：切片步骤(11)，其中将单晶坯锭切成薄盘状晶片；研磨步骤(13)，其中将每个晶片的表面研磨成平面；碱性清洗步骤(14)，其中对晶片进行碱性清洗，去除在先机械加工产生的污染物；以及腐蚀步骤(16)，其中将晶片在两组腐蚀槽之间交替传递，其中一组中含有酸性腐蚀液，另一组中含有碱性腐蚀液，其中：在切片步骤(11)和研磨步骤(13)之间引入斜切步骤(12)，其中将晶片浸在含有的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的体积比(HF/HNO3)为1/8-1/2的酸性溶液中，由此可以去除由机械加工在晶片前后表面上产生的质量下降的表面层，并且可将其边缘表面斜切。