发明名称 半导体晶片的制造方法
摘要 本发明提供了一种半导体晶片的制造方法,其中利用自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂颗粒研磨降低了由线锯切割或双盘研磨产生的微小表面起伏,同时简化了常规半导体晶片的制造工艺步骤。半导体晶片的制造方法的特征在于,进行以下工艺:切割,然后倒角,蚀刻,以及一侧或双侧抛光,其中在所述切割工艺之后进行利用多孔抛光衬垫和自由研磨剂颗粒的半固定研磨剂研磨工艺。
申请公布号 CN1795545A 申请公布日期 2006.06.28
申请号 CN200480014685.X 申请日期 2004.05.26
申请人 株式会社上睦可 发明人 浅川庆一郎
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李春晖
主权项 1.一种半导体晶片的制造方法,该制造方法利用了这样的工艺方法,在该工艺方法中,在多孔抛光衬垫中保持自由研磨剂颗粒用于研磨。
地址 日本东京都