GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和金属膜的方法

摘要

本发明公开了一种GaN基化合物材料上原位淀积高介电常数Al₂O₃和金属膜的方法。采用电子束真空蒸发、在GaN基化合物材料上用4N以上高纯度Al₂O₃颗粒和高纯金属膜作蒸发源，其工艺过程是：先清洗片子和光刻蒸发窗口；然后将片子装入电子束蒸发台的反应室中，室温下先蒸发Al₂O₃薄膜，后蒸发金属膜，或先蒸发金属膜，后蒸发Al₂O₃；蒸发时抽真空在1.8×10^－3Pa以上，用氩离子轰击基片；最后，设定Al₂O₃和待蒸发金属的密度和系数，将电子束高压置10kv，电子束电流根据所蒸发材料的要求加上不同的值，待膜厚达到预定值后，迅速将电流减为0，取出片子进行剥离。本发明具有使用设备少、成本低、环境污染少，工艺简单、生成膜质量好、可用于GaN基微电子器件和IC的批量生产。

主权项

1.一种在GaN基化合物材料上原位淀积Al2O3和金属膜的方法，其特征在于采用高纯Al2O3颗粒和金属作蒸发材料，在1台电子束蒸发台内分别完成高介电常数Al2O3和金属的两种膜蒸发，具体过程如下：(1)对GaN基片子进行清洗并用高氮吹干；(2)在基片上光刻图形；(3)将基片装入EB蒸发台的反应室中，用氩离子活化GaN片子后，室温下分别进行Al2O3膜和金属膜的蒸发；(4)将蒸发到片子上的Al2O3/金属，或金属/Al2O3进行剥离。