发明名称 | 自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件 | ||
摘要 | 本发明是有关于一种自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件,该半导体元件包括有复数个低电压N井区域偏压在不同的电位上,并藉由一共通N+埋藏层及至少一高电压N井区域与基材隔离。低电压N井区域经由一共通P+埋藏层与下方的共通N+埋藏层结合。此方法适用于形成半导体元件的基材,其包括了形成N+埋藏层在一负偏压P型半导体的一指定低电压区域,藉由植入P型杂质离子,例如铟,进入到P+埋藏层中,以形成P+埋藏层在N+埋藏层中,长出覆盖P+埋藏层的P型磊晶层,使P型杂质离子扩散进入到P型磊晶层,以致于P+埋藏层延伸进入到N+埋藏层。低电压P井区域也形成在P型磊晶层且连接到P+埋藏层。 | ||
申请公布号 | CN1794450A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
申请号 | CN200510098325.9 | 申请日期 | 2005.09.07 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 宋自强;黄志博;叶任贤;刘俊秀;张启宣;陈忠义 |
分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L21/761(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
主权项 | 1、一半导体元件,其特征在于:至少包括复数个低电压N井区域,偏压在不同的电位且藉由一共通N+埋藏层将该些低电压N井区域自下方与一半导体基材隔离。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |