用于CMOS APS的双钉扎光电二极管及形成方法

摘要

本发明公开了一种钉扎光电二极管，其具有增加的电子容量，以及一种用于形成该钉扎光电二极管的方法。本发明提供了一种钉扎光电二极管结构，其包括衬底基底，在其上方是第一半导体材料层。提供了第一导电类型的基层，其中第一导电类型的基层是衬底基底或是衬底基底上的掺杂层。至少一个第二导电类型的掺杂区域位于所述第一层的表面下方，并且延伸以与基层形成第一结。第一导电类型的掺杂表面层位于至少一个第二导电类型的区域上，并且与所述至少一个第二导电类型的区域形成第二结。

主权项

1.一种光电二极管，包括：衬底基底；衬底基底上的第一半导体材料层；第一导电类型的基层，其中第一导电类型的基层是衬底基底或是衬底基底上的掺杂层；至少一个第二导电类型的掺杂区域，其位于第一层的表面下方，其中至少其中一个第二导电类型的所述区域与基层形成第一结；第一导电类型的掺杂表面层，其位于至少一个第二导电类型的区域上，并且与至少其中一个第二导电类型的区域形成第二结。