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发明名称 METHOD FOR PROCESS TI-SALICIDE OF DEEP SUBMICRON CMOS WITH DAMASCENE GATE STRUCTURE
摘要
申请公布号 KR20060071509(A) 申请公布日期 2006.06.27
申请号 KR20040110117 申请日期 2004.12.22
申请人 DONGBU ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 SHIN, EUN JONG
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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