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发明名称 METHOD FOR FORMING DUAL GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100596808(B1) 申请公布日期 2006.06.27
申请号 KR20050058130 申请日期 2005.06.30
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 AHN, TAE HANG
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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