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发明名称 FORMATION METHOD OF METAL QUANTUM DOTS AND FABRICATION METHOD OF NON-VOLATILE NNANO FLOATING GATE MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060070886(A) 申请公布日期 2006.06.26
申请号 KR20040109708 申请日期 2004.12.21
申请人 IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY) 发明人 HONG, JIN PYO;YANG, JUNG YUP;YOON, KAP SOO;DO, YOUNG HO;CHOI, WON JUN;LEE, EUN JOUNG
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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