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L'invention concerne une solution aqueuse utile pour le retrait sélectif en présence d'un diélectrique à faible k, qui comprend 0 à 25 % en masse d'oxydant, 0,00002 à 5 % en masse de tensioactif multicomposant, le tensioactif multicomposant ayant une queue hydrophobe, une partie hydrophile non ionique et une partie hydrophile anionique, la queue hydrophobe ayant 6 à 30 atomes de carbone et la partie hydrophile non ionique ayant 10 à 300 atomes de carbone, 0 à 15 % en masse d'inhibiteur pour un métal non ferreux, 0 à 50 % en masse d'abrasif, 0 à 20 % en masse d'agent complexant pour un métal non ferreux et de l'eau, et un procédé de retrait d'au moins une partie d'une couche d'un substrat de semiconducteurs comprenant l'étape de polissage du substrat avec une telle solution aqueuse.
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