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Ein System und ein Verfahren werden offenbart zum Messen kleiner Merkmale von integrierten Schaltkreisen, ohne den Wafer zu zerstören. Eine bevorzugte Ausgestaltung weist auf das Messen der Abweichung vom charakteristischen Brechungsindex einer Wafer-Oberfläche als Hinweis auf die Größe der Schaltkreis-Merkmale. Das Verfahren weist weiterhin auf das Bestrahlen einer Mehrzahl von Merkmalen, das Erfassen von von den Merkmalen ausstrahlender Strahlung, das Bestimmen eines effektiven Brechungsindex der Schicht und der Merkmale daraus und das Analysieren des effektiven Brechungsindex, um die Größe der Merkmale zu bestimmen. Das Analysieren des effektiven Brechungsindex weist auf das Vergleichen des effektiven Brechungsindex mit einem Brechungsindex einer Schicht, welche Merkmale mit einer nominellen Merkmals-Größe darin aufweist, und das Bestimmen der Abweichung der Merkmals-Größe, basierend auf dem Vergleichs-Schritt.
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