摘要 |
Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Abscheiden einer Metallverbindungsschicht können ein erstes Quellgas und ein zweites Quellgas auf ein Substrat geliefert werden, um eine erste Metallverbindungsschicht an dem Substrat abzuscheiden. Das erste Quellgas kann ein Metall und Halogenelemente aufweisen, und das zweite Quellgas kann ein erstes Material, das fähig ist, mit dem Metall zu reagieren, und ein zweites Material, das fähig ist, mit dem Halogenelement zu reagieren, aufweisen. Das erste und das zweite Quellgas können mit einem ersten Flussratenverhältnis geliefert werden. Eine zweite Metallverbindungsschicht kann durch Liefern des ersten und des zweiten Quellgases mit einem zweiten Flussratenverhältnis, das sich von dem ersten Flussratenverhältnis unterscheidet, an der ersten Metallverbindungsschicht abgeschieden werden. Die Vorrichtung kann eine Verfahrenskammer, die konfiguriert ist, um ein Substrat aufzunehmen, ein Gaszufuhrsystem und eine Flussratensteuervorrichtung aufweisen.
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申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
SEO, JUNG-HUN;PARK, YOUNG-WOOK;HONG, JIN-GI;KOO, KYUNG-BUM;LEE, EUN-TAECK |