| 主权项 |
1.一种平面显示面板之制造方法,该方法至少包括 下列步骤: 提供一底材; 均匀形成一第一金属层于该底材上; 图案化该第一金属层以形成一第一导线图案及一 垫高图案; 均匀形成一绝缘层于该底材上,以覆盖该第一导线 图案以及该垫高图案; 均匀形成一第二金属层于该底材上,以覆盖该绝缘 层;以及 图案化该第二金属层以形成一第二导线图案,相对 于该第一导线图案上方及该垫高图案上方之该第 二导线图案系位于该底材上同一预定高度的位置; 形成一保护层于该底材上,以覆盖该第二导线图案 与该绝缘层;以及 形成一透光保护层于该保护层上。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该绝 缘层及/或该第一金属层及/或该第二金属层系以 沉积方式形成。 3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包括: 蚀刻一预定部分之该透光保护层与该保护层,以移 除该透光保护层,并形成复数个通孔以暴露出对应 该预定部分之该第二导线图案;以及 形成一导电透光图案于该保护层上表面并经由该 通孔与该第二导线图案电性连接。 4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包括: 蚀刻一预定部分之该透光保护层与该保护层,并形 成复数个通孔以暴露出对应该预定部分之该第二 导线图案;以及 形成一导电透光图案于该透光保护层上并经由该 通孔与该第二导线图案电性连接。 5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,该形成上 述该些通孔以曝露出该预定部份之该第二导线图 案之步骤,系为一利用半调光罩之光蚀刻步骤(photo -etching process, PEP)。 6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该半 调光罩之光蚀刻步骤,系移除预定将形成该些通孔 位置之部份该透光保护层,并残留另一部份之透光 保护层,以作为后续之一蚀刻阻挡层。 7.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中形成 一导电透光图案于部分该透光保护层上并经由该 通孔与该第二导线图案电性连接之步骤更包括将 该导电透光图案同时形成于部份该透光保护层上 并经由该通孔与该第一导线图案电性连接。 8.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中形成 一导电透光图案于该保护层上表面并经由该通孔 与该第二导线图案电性连接之步骤更包括沈积导 电材料于该通孔。 9.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中形成 一导电透光图案于该透光保护层上并经由该通孔 与该第一导线图案电性连接之步骤更包括沈积导 电材料于该通孔。 10.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中将 该导电透光图案同时形成于部份该透光保护层上 并经由该通孔与该第二导线图案电性连接之步骤 更包括沈积导电材料于该通孔。 11.一种平面显示面板,至少包括: 一底材; 一第一导线图案及一垫高图案,形成于该底材上并 具有大体上相同之高度; 一绝缘层,均匀形成于该底材上,且覆盖该第一导 线图案以及该垫高图案;以及 一第二导线图案,形成于该绝缘层上,相对于该第 一导线图案上方及该垫高图案上方之该第二导线 图案系位于该底材上同一预定高度的位置; 一保护层,形成于该绝缘层上,且覆盖该第二导线 图案;以及 一导电透光图案层,可区分成复数个区块,其中部 份之区块系形成于该保护层表面,并经由该保护层 之至少一通孔与该第二导线图案电性连接,以作为 一接触垫。 12.如申请专利范围第11项所述之平面显示面板,更 包括: 复数个薄膜电晶体,形成于该底材与该保护层间; 以及 一透光保护层,形成于该保护层上,其中部分该区 块系形成于该透光保护层表面,并经由该透光保护 层之至少一通孔与该保护层之至少一通孔与该些 薄膜电晶体电性连接。 13.如申请专利范围第11项所述之平面显示面板,其 中该保护层之厚度为2000-4000埃。 14.如申请专利范围第12项所述之平面显示面板,其 中该透光保护层之厚度为20000-60000埃。 15.如申请专利范围第12项所述之平面显示面板,其 中该透光保护层可为有机材料或是低介电常数的 材料。 图式简单说明: 图一A所示为典型TFT板上视图的一部份; 图一B系为图一A之8→8侧剖面图; 图二系为习知之液晶显示面板侧剖面视图; 图三A至图三E系为典型的TFT板之制程步骤; 图四A至图四F系表示另一习知TFT板之制程步骤; 图五A至图五F表示本发明高开口率平面显示面板 之制造方法各步骤;及 图六系为本发明平面显示面板一实施例侧剖面图 。 |
