| 主权项 |
1.一种电压非直线性电阻体磁器组成物,包括:包含 氧化锌之主成分、包含稀土类元素氧化物之第1副 成分以及包含Sb氧化物之第2副成分之电压非直线 性电阻体磁器组成物, 其特征在于: 前述第2副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Sb换算而成为3原子%≦第2副成分<10原子%。 2.如申请专利范围第1项之电压非直线性电阻体磁 器组成物,其中,包含于前述第1副成分之稀土类元 素氧化物系由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy 、Ho、Er、Tm、Yb和Lu所选出之至少一种氧化物; 前述第1副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以稀土类元素换算而成为0.01原子%<第1副成分<10原 子%。 3.如申请专利范围第1或2项之电压非直线性电阻体 磁器组成物,其中,还具有包含Co氧化物之第3副成 分; 该第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系以 Co换算而成为0.05原子%<第3副成分<30原子%。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之电压非直线 性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由B、Al、Ga 和In中之所选出之至少一种氧化物之第4副成分; 该第4副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以B、Al、Ga和In换算而成为0.0005原子%<第4副成分 <0.5原子%。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之电压非直线 性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Na、K、Rb 和Cs中之所选出之至少一种氧化物之第5副成分; 该第5副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Na、K、Rb和Cs换算而成为0.001原子%<第5副成分< 1原子%。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项之电压非直线 性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Mg、Ca、 Sr和Ba中之所选出之至少一种氧化物之第6副成分; 该第6副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Mg、Ca、Sr和Ba换算而成为0.01原子%<第6副成分< 2原子%。 7.一种电子零件,具有电压非直线性电阻体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分以及包含Sb氧化物 之第2副成分; 前述第2副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Sb换算而成为3原子%≦第2副成分<10原子%。 8.一种积层晶片型变阻器,具有变阻器功能层, 其特征在于: 前述变阻器功能层系藉由电压非直线性电阻体磁 器组成物所构成,前述电压非直线性电阻体磁器组 成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含稀土类元 素氧化物之第1副成分以及包含Sb氧化物之第2副成 分; 前述第2副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Sb换算而成为3原子%≦第2副成分<10原子%。 9.一种电压非直线性电阻体磁器组成物,包括:包含 氧化锌之主成分、包含稀土类元素氧化物之第1副 成分、包含Sb氧化物之第2副成分以及包含Cr和Mo中 之至少一种氧化物之第3副成分, 其特征在于: 前述第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Cr和Mo换算而成为0.001原子%<第3副成分<2原子%。 10.如申请专利范围第9项之电压非直线性电阻体磁 器组成物,其中,前述第1副成分相对于前述主成分 100莫尔之比率系以稀土类元素换算而成为0.01原子 %<第1副成分<10原子%。 11.如申请专利范围第9或10项之电压非直线性电阻 体磁器组成物,其中,前述第2副成分相对于前述主 成分100莫尔之比率系以Sb换算而成为3原子%≦第2 副成分<10原子%。 12.如申请专利范围第9至11项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含Co氧化物 之第4副成分; 该第4副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系以 Co换算而成为0.05原子%<第4副成分<30原子%。 13.如申请专利范围第9至12项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由B、Al 、Ga和In中之所选出之至少一种氧化物之第5副成 分; 该第5副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以B、Al、Ga和In换算而成为0.0005原子%<第5副成分 <0.5原子%。 14.如申请专利范围第9至13项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Na、K 、Rb和Cs中之所选出之至少一种氧化物之第6副成 分; 该第6副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Na、K、Rb和Cs换算而成为0.001原子%<第6副成分< 1原子%。 15.如申请专利范围第9至14项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Mg、Ca 、Sr和Ba中之所选出之至少一种氧化物之第7副成 分; 该第7副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Mg、Ca、Sr和Ba换算而成为0.01原子%<第7副成分< 2原子%。 16.一种电子零件,具有电压非直线性电阻体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分、包含Sb氧化物之 第2副成分以及包含Cr和Mo中之至少一种氧化物之 第3副成分; 前述第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Cr和Mo换算而成为0.001原子%<第3副成分<2原子%。 17.一种积层晶片型变阻器,具有电压非直线性电阻 体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分、包含Sb氧化物之 第2副成分以及包含Cr和Mo中之至少一种氧化物之 第3副成分; 前述第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Cr和Mo换算而成为0.001原子%<第3副成分<2原子%。 18.一种积层晶片型变阻器,具有电压非直线性电阻 体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分、包含Sb氧化物之 第2副成分、包含Cr和Mo中之至少一种氧化物之第3 副成分、包含Co氧化物之第4副成分、包含由B、Al 、Ga和In中之所选出之至少一种氧化物之第5副成 分、包含由Na、K、Rb和Cs中之所选出之至少一种氧 化物之第6副成分以及包含由Mg、Ca、Sr和Ba中之所 选出之至少一种氧化物之第7副成分; 各种成分相对于前述主成分100莫尔之比率系以稀 土类元素换算而成为0.01原子%<第1副成分<10原子%, 以Sb换算而成为3原子%≦第2副成分<10原子%,以Cr和 Mo换算而成为0.001原子%<第3副成分<2原子%,以Co换算 而成为0.05原子%<第4副成分<30原子%,分别以B、Al、 Ga和In换算而成为0.0005原子%<第5副成分<0.5原子%,分 别以Na、K、Rb和Cs换算而成为0.001原子%<第6副成分< 1原子%,分别以Mg、Ca、Sr和Ba换算而成为0.01原子%< 第7副成分<2原子%。 19.一种电压非直线性电阻体磁器组成物,包括:包 含氧化锌之主成分、包含稀土类元素氧化物之第1 副成分以及包含Si氧化物之第2副成分, 其特征在于: 前述第2副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Si换算而成为1原子%<第2副成分<30原子%。 20.如申请专利范围第19项之电压非直线性电阻体 磁器组成物,其中,包含于前述第1副成分之稀土类 元素氧化物系由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb 、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu所选出之至少一种氧化物; 前述第1副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以稀土类元素换算而成为0.01原子%<第1副成分<10原 子%。 21.如申请专利范围第19或20项之电压非直线性电阻 体磁器组成物,其中,还具有包含Co氧化物之第3副 成分; 该第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系以 Co换算而成为0.05原子%<第3副成分<50原子%。 22.如申请专利范围第19至21项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由B、Al 、Ga和In中之所选出之至少一种氧化物之第4副成 分; 该第4副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以B、Al、Ga和In换算而成为0.0001原子%<第4副成分 <1原子%。 23.如申请专利范围第19至22项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Na、K 、Rb和Cs中之所选出之至少一种氧化物之第5副成 分; 该第5副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Na、K、Rb和Cs换算而成为0.005原子%<第5副成分< 5原子%。 24.如申请专利范围第19至23项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Mg、Ca 、Sr和Ba中之所选出之至少一种氧化物之第6副成 分; 该第6副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Mg、Ca、Sr和Ba换算而成为0.05原子%<第6副成分< 5原子%。 25.一种电子零件,具有电压非直线性电阻体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分以及包含Si氧化物 之第2副成分; 前述第2副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Si换算而成为1原子%<第2副成分<30原子%。 26.一种积层晶片型变阻器,具有电压非直线性电阻 体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分以及包含Si氧化物 之第2副成分; 前述第2副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Si换算而成为1原子%<第2副成分<30原子%。 27.一种电压非直线性电阻体磁器组成物,包括:包 含氧化锌之主成分、包含稀土类元素氧化物之第1 副成分、包含Si氧化物之第2副成分以及包含Cr和Mo 中之至少一种氧化物之第3副成分, 其特征在于: 前述第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Cr和Mo换算而成为0原子%<第3副成分<2原子%。 28.如申请专利范围第27项之电压非直线性电阻体 磁器组成物,其中,前述第1副成分相对于前述主成 分100莫尔之比率系以稀土类元素换算而成为0.01原 子%<第1副成分<10原子%。 29.如申请专利范围第27或28项之电压非直线性电阻 体磁器组成物,其中,前述第2副成分相对于前述主 成分100莫尔之比率系以Si换算而成为1原子%≦第2 副成分<30原子%。 30.如申请专利范围第27至29项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含Co氧化物 之第4副成分; 该第4副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系以 Co换算而成为0.05原子%<第4副成分<50原子%。 31.如申请专利范围第27至30项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由B、Al 、Ga和In中之所选出之至少一种氧化物之第5副成 分; 该第5副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以B、Al、Ga和In换算而成为0.0001原子%<第5副成分 <1原子%。 32.如申请专利范围第27至31项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Na、K 、Rb和Cs中之所选出之至少一种氧化物之第6副成 分; 该第6副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Na、K、Rb和Cs换算而成为0.005原子%<第6副成分< 5原子%。 33.如申请专利范围第27至32项中任一项之电压非直 线性电阻体磁器组成物,其中,还具有包含由Mg、Ca 、Sr和Ba中之所选出之至少一种氧化物之第7副成 分; 该第7副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系分 别以Mg、Ca、Sr和Ba换算而成为0.05原子%<第7副成分< 5原子%。 34.一种电子零件,具有电压非直线性电阻体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分、包含Si氧化物之 第2副成分以及包含Cr和Mo中之至少一种氧化物之 第3副成分; 前述第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Cr和Mo换算而成为0原子%<第3副成分<2原子%。 35.一种积层晶片型变阻器,具有电压非直线性电阻 体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分、包含Si氧化物之 第2副成分以及包含Cr和Mo中之至少一种氧化物之 第3副成分; 前述第3副成分相对于前述主成分100莫尔之比率系 以Cr和Mo换算而成为0原子%<第3副成分<2原子%。 36.一种积层晶片型变阻器,具有电压非直线性电阻 体层, 其特征在于: 前述电压非直线性电阻体层系藉由电压非直线性 电阻体磁器组成物所构成,前述电压非直线性电阻 体磁器组成物系包括:包含氧化锌之主成分、包含 稀土类元素氧化物之第1副成分、包含Si氧化物之 第2副成分、包含Cr和Mo中之至少一种氧化物之第3 副成分、包含Co氧化物之第4副成分、包含由B、Al 、Ga和In中之所选出之至少一种氧化物之第5副成 分、包含由Na、K、Rb和Cs中之所选出之至少一种氧 化物之第6副成分以及包含由Mg、Ca、Sr和Ba中之所 选出之至少一种氧化物之第7副成分; 各种成分相对于前述主成分100莫尔之比率系以稀 土类元素换算而成为0.01原子%<第1副成分<10原子%, 以Si换算而成为1原子%≦第2副成分<30原子%,以Cr和 Mo换算而成为0原子%<第3副成分<2原子%,以Co换算而 成为0.05原子%<第4副成分<50原子%,分别以B、Al、Ga 和In换算而成为0.0001原子%<第5副成分<1原子%,分别 以Na、K、Rb和Cs换算而成为0.005原子%<第6副成分<5 原子%,分别以Mg、Ca、Sr和Ba换算而成为0.05原子%<第 7副成分<5原子%。 图式简单说明: 图1系本发明之某一实施形态之积层晶片型变阻器 之剖面图。 |
