| 主权项 |
1.一种用以操作可电写及抹除记忆胞元的方法,该 可电写及抹除记忆胞元具有一可在一第一方向以 及一第二方向中操作的通道区域(2),该记忆胞元的 特征在于具有至少一有效的参数,其中资讯将以在 该第一方向中的该通道区域操作的有效参数与在 该第二方向中的该通道区域操作的有效参数间的 差异来储存。 2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中两组资讯 可透过在哪个通道区域的操作方向中的有效参数 是较高的来进行区分,其中在各方向中该有效参数 差异是相同的。 3.如申请专利范围第2项所述的方法,其中该有效参 数是一记忆胞元晶体管的阀値电压。 4.如申请专利范围第3项所述的方法,其中两个阀値 电压(VT)是规定在一预定电压范围内。 5.如申请专利范围第4项所述的方法,其中另外的资 讯是规定在另外的预定电压范围内。 6.一种用于可电写及抹除资讯记忆的记忆装置,该 记忆装置包括一个记忆胞元域,该记忆胞元域具有 至少一个记忆胞元,该记忆胞元具有在一汲极区域 以及一源极区域间的通道区域,该通道区域是可双 向操作并且具有一可调整的储存区域(C1,C2),使得 在操作一第一方向中的该通道区域时的该记忆胞 元的有效参数是与在操作具有第二方向的该通道 区域时的该记忆胞元的有效参数不同;以及 一读取装置(10,12),该读取装置(10,12)是用以判定后 有效参数的差异以及分派至一编程级。 7.如申请专利范围第6项所述的装置,该记忆装置具 有一调整该储存区域的写入装置,使得将要被储存 的资讯转换为该通道区域的阀値电压差异。 8.如申请专利范围第7项所述的装置,其中该要被储 存的资讯包括一位元。 9.如申请专利范围第8项所述的装置,该记忆胞元是 一种氮化物只读记忆体记忆胞元元件。 10.如申请专利范围第9项所述的装置,该记忆胞元 的储存区域包括一局部电荷储存装置。 图式简单说明: 第1图是一NROM记忆胞元的第一示范性实施例。 第2图是一NROM记忆胞元的第二示范性实施例。 第3图是NROM记忆胞元的习用记忆胞元排列。 第4图是在一非挥发性记忆胞元中四个状态的记忆 的示范实施例。 第5图是在一习用NROM记忆胞元中关于四个状态的 记忆到目前为止的习用程序。 |
