| 主权项 |
1.一种形成一半导体元件的方法,包含: 提供一基材; 提供铝金属线于该基材上; 形成一阻障层于该铝金属线上;以及 形成一富矽(silicon rich)介电层于该阻障层上。 2.如请求项1所述之方法,其中提供该基材包含: 提供一半导体基材;以及 形成电路元件于该半导体基材上。 3.如请求项1所述之方法,其中形成该阻障层包含形 成一层氧化物或氮氧化物。 4.如请求项1所述之方法,其中形成该富矽介电层包 含形成一富矽氧化物,使得该富矽氧化物中的矽原 子之浓度与氧原子之浓度的比例大于1:1。 5.如请求项1所述之方法,其中该富矽介电层系藉由 化学气相沉积,且使用至少一气体组成物所形成, 其中该气体组成物选自含矽甲烷及氧之一气体组 成物、含矽甲烷及一氧化二氮之一气体组成物、 含四乙氧基矽烷(TEOS)及氧之一气体组成物及含四 乙氧基矽烷及臭氧之一气体组成物所组成之一群 组。 6.如请求项1所述之方法,更包含在至少一部份的该 富矽介电层上形成一金属层间介电层(IMD)。 7.一种半导体元件,包含: 一基材; 至少一铝金属线于该基材上; 一阻障层于该至少一铝金属线上;以及 一富矽(silicon rich)介电层于该阻障层上。 8.如请求项7所述之半导体元件,其中该基材为一含 电路元件于其上之一半导体基材。 9.如请求项7所述之半导体元件,其中该阻障层包含 一氧化物或一氮氧化物。 10.如请求项7所述之半导体元件,其中该富矽介电 层包含一富矽氧化物,且该富矽氧化物中的矽原子 之浓度与氧原子之浓度的比例大于1:1。 11.如请求项7所述之半导体元件,其中该富矽介电 层系藉由化学气相沉积,且使用至少一气体组成物 所形成,其中该气体组成物选自含矽甲烷及氧之一 气体组成物、含矽甲烷及一氧化二氮之一气体组 成物、含四乙氧基矽烷(TEOS)及氧之一气体组成物 及含四乙氧基矽烷及臭氧之一气体组成物所组成 之一群组。 12.如请求项7所述之半导体元件,更包含一金属层 间介电层(IMD),该金属层间介电层覆盖至少一部份 的该富矽介电层。 图式简单说明: 图1显示使用一内衬的一般半导体元件; 图2显示使用一富矽氧化物内衬的半导体元件;以 及 图3显示根据本发明的一半导体元件。 |
