| 主权项 |
1.一种场发射显示器,包括: 一阴极电极; 复数用于发射电子之场发射元件,其与阴极电极电 性相连; 一阻隔壁,该阻隔壁位于阴极电极表面; 一栅极电极,该栅极电极位于阻隔壁之表面;及 一萤光屏,该萤光屏包括一阳极电极与附着于阳极 电极之萤光层;其中 上述阻隔壁包括一蔽荫遮罩及位于该蔽荫遮罩表 面之绝缘层,该蔽荫遮罩具有复数以预定图案排列 之均匀微孔,该微孔与场发射元件相对应。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该场发射显示器进一步包括一基底,该阴极电极位 于该基底表面。 3.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中 该基底之表面平整度小于1微米。 4.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中 该基底为绝缘材料 5.如申请专利范围第4项所述之场发射显示器,其中 该绝缘材料包括玻璃、陶瓷、氧化硅或氧化铝。 6.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其中 该场发射显示器进一步包括一框架,该框架将阻隔 壁固接于基底。 7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该场发射元件为奈米碳管阵列。 8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 该场发射元件为金属尖端。 9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其中 上述之蔽荫遮罩为金属材料。 10.如申请专利范围第9项所述之场发射显示器,其 中该金属材料包括殷瓦钢或低碳钢。 11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中该绝缘材料包括氧化铝或氧化镁。 12.如申请专利范围第11项所述之场发射显示器,其 中该绝缘材料之厚度为10~-500微米。 13.如申请专利范围第2项所述之场发射显示器,其 进一步包括一萤光屏支撑柱,该支撑柱位于萤光屏 与基底之间。 14.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器,其 中萤光屏进一步包括一基板,阳极电极附着于该基 板。 图式简单说明: 第一图系本发明场发射显示器之结构示意图。 第二图系制备本发明场发射显示器之流程图。 第三图系本发明场发射显示器中沈积有阴极电极 及奈米碳管之基底示意图。 第四图系本发明场发射显示器阻隔壁之示意图。 第五图系在第三图所示之阻隔壁一表面沈积栅极 电极后固定于基底表面之示意图。 |
