| 主权项 |
1.一种含氟树脂组成物,其特征为由四氟乙烯/氟烷 氧基三氟乙烯共聚物及四氟乙烯/六氟丙烯共聚物 所形成之含氟树脂组成物中,四氟乙烯/六氟丙烯 共聚物对四氟乙烯/六氟丙烯共聚物及四氟乙烯/ 氟烷氧基三氟乙烯共聚物之合计固体成分质量为0 .5至60质量%,又,含氟树脂组成物中,由-CF2-CH2OH、- CONH2、-COOH及-COF群中所选出至少1个之末端官能基 对每碳数106个为低于10个,该末端官能基系存在于 四氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物之分子链末端 及/或四氟乙烯/六氟丙烯共聚物的分子链末端之 物,该碳数为四氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物 之碳数及四氟乙烯/六氟丙烯共聚物之碳数的合计 数,又,含氟树脂组成物所形成之测定用管状成型 物的内面平均粗糙度[Ra]为0.035m以下,最大粗糙 度[Rt]低于0.3m。 2.如申请专利范围第1项之含氟树脂组成物,其中四 氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物为与四氟乙烯/ 六氟丙烯共聚物熔融混练之物。 3.如申请专利范围第1项之含氟树脂组成物,其系使 用含氟气体进行处理之物。 4.如申请专利范围第2项之含氟树脂组成物,其系使 用含氟气体进行处理之物。 5.如申请专利范围第3项之含氟树脂组成物,其中使 用含氟气体之处理步骤系由使用含氟气体之精制 处理所构成。 6.如申请专利范围第4项之含氟树脂组成物,其中使 用含氟气体之处理步骤系由使用含氟气体之精制 处理所构成。 7.如申请专利范围第1至6项中任一项之含氟树脂组 成物,其中分子量分布为1.0至2.2。 8.如申请专利范围第1至6项中任一项之含氟树脂组 成物,其中四氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物之 熔融指数为9(g/10分钟)以下,四氟乙烯/六氟丙烯共 聚物之熔融指数为9(g/10分钟)以下。 9.如申请专利范围第1至6项中任一项之含氟树脂组 成物,其中四氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物之 熔融指数为1.0至3.5(g/10分钟),四氟乙烯/六氟丙烯 共聚物之熔融指数为0.5至3(g/10分钟)。 10.一种含氟树脂组成物,其为由四氟乙烯/氟烷氧 基三氟乙烯共聚物及四氟乙烯/六氟丙烯共聚物与 四氟乙烯聚合物所形成之如申请专利范围第1至9 项中任一项之含氟树脂组成物,又,其中四氟乙烯 聚合物对含氟树脂组成物之固体成分质量为0.2至5 质量%。 11.一种制造含氟树脂组成物之方法,其为由具有依 序进行将四氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物及四 氟乙烯/六氟丙烯共聚物所形成之混合组成物熔融 混练的熔融混练步骤,及使用含氟气体进行精制处 理之精制步骤的制造如申请专利范围第1至9项中 任一项之含氟树脂组成物的方法,进行熔融混练时 系将汽缸内混合组成物温度控制于350至395℃下,利 用挤押成型机进行至混合组成物无粘度变化为止, 又,所使用之含氟气体为含有5质量%以上之氟,且精 制处理系将熔融混练步骤后而得之挤出物曝露于 含氟气体中,以分解去除低分子量物者。 12.如申请专利范围第11项之制造含氟树脂组成物 之方法,其中四氟乙烯/氟烷氧基三氟乙烯共聚物 及四氟乙烯/六氟丙烯共聚物为调整末端官能基数 之物,且调整后末端官能基之数为,对四氟乙烯/氟 烷氧基三氟乙烯共聚物之碳数与四氟乙烯/六氟丙 烯共聚物之碳数的合计每106个为4至100个。 13.一种氟树脂组成物成形物,其特征为由申请专利 范围第1至9项中任一项之含氟树脂组成物而得。 14.一种半导体制造装置,其为由申请专利范围第13 项之氟树脂组成物成型物所组成的半导体制造装 置,且使用60℃以上之含有臭氧10体积%以上之含臭 氧媒体。 15.一种半导体制造装置,其为由申请专利范围第13 项之成型物所组成的半导体制造装置,且使用15℃ 以上之含粒子淤浆,又该含粒子之淤浆为含有氧化 铝及/或二氧化矽所形成之粒子者。 16.一种圆筒状成型物用连接器,其特征为由申请专 利范围第1至9项中任一项之含氟树脂组成物而得 。 17.一种被覆电线,其为利用由申请专利范围第1至9 项中任一项之含氟树脂组成物而得之被覆物被覆 电线而得。 图式简单说明: 图1为,实施例1之淤浆送液试验后测定用管状成型 物内表面的电子显微镜像。 图2为,比较例1之淤浆送液试验后测定用管状成型 物内表面的电子显微镜像。 图3为,比较例5之臭氧曝露试验后产生裂痕之连接 器厚度方向剖面图。 |
