| 摘要 |
使用光散乱法而检查磊晶晶圆之表面。由晶圆表面上之光散乱体(LLS)开始反射。检测散乱角狭窄之窄散乱光和宽广之宽散乱光之强度。在窄散乱光和宽散乱光之强度进入至既定之校准范围内之状态下，判断根据窄散乱光强度之PLS尺寸和根据宽散乱光强度之PLS尺寸是否属于校准范围内之何种区域(410,414,418,439)，判定光散乱体是否为微粒或杀手缺陷。在窄散乱光或宽散乱光之强度超过校准范围之状态(417,420,421,423,424,425)及许多之光散乱体呈连续或密集之状态(422)，判定光散乱体成为杀手缺陷。 |
| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之检查装置,包括: 光照射装置,在半导体晶圆表面之检查点,碰触到 光点; 第1光感测器,承受来自前述检查点之散乱光中之 散乱角更加狭窄于既定角之窄散乱光,检测前述窄 散乱光之强度; 第2光感测器,承受来自前述检查点之散乱光中之 散乱角更加宽广于既定角之宽散乱光,检测前述宽 散乱光之强度;以及 讯号处理电路,响应于来自前述第1和第2光感测器 之检测讯号而判定存在于前述检查点之光散乱体 之种别; 此外,前述讯号处理电路包括: 第1计算装置,在前述窄散乱光之强度位处于既定 之校准范围内之状态下,根据前述窄散乱光之强度 而计算第1之PLS相当尺寸; 第2计算装置,在前述宽散乱光之强度位处于前述 之校准范围内之状态下,根据前述宽散乱光之强度 而计算第2之PLS相当尺寸;以及 判定装置,在前述窄散乱光和前述宽散乱光之任何 一种强度皆位处于前述之校准范围内之状态下,根 据第1之PLS相当尺寸和前述第2之PLS相当尺寸两者 而判定前述光散乱体之种别。 2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之检查装置, 其中,前述判定装置系在前述校准范围内之前述第 1之PLS相当尺寸几乎相等于前述第2之PLS相当尺寸 或者是还更加大既定程度以下之程度之既定之微 粒区域,判定存在于前述检查点之光散乱体成为微 粒。 3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之检查装置, 其中,前述判定装置系在前述校准范围内之前述第 1之PLS相当尺寸比起前述第2之PLS相当尺寸还更加 大前述既定程度以上之程度之既定之缺陷区域,判 定存在于前述检查点之光散乱体成为缺陷。 4.如申请专利范围第3项之半导体晶圆之检查装置, 其中,前述判定装置系判定在前述既定之缺陷区域 ,配合于前述第1之PLS相当尺寸更加大于或更加小 于既定尺寸而是否推测前述缺陷成为杀手缺陷。 5.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之检查装置, 其中,前述判定装置系在前述窄散乱光或前述宽散 乱光之强度超过前述校准范围之状态下,判定存在 于前述检查点之光散乱体来推测成为杀手缺陷之 缺陷。 6.一种半导体晶圆之检查方法,包括: 在半导体晶圆表面之检查点,碰触到光点之步骤; 检测来自前述检查点之散乱光中之散乱角更加狭 窄于既定角之窄散乱光之强度之步骤; 检测来自前述检查点之散乱光中之散乱角更加宽 广于既定角之宽散乱光之强度之步骤; 在前述窄散乱光之强度位处于既定之校准范围内 之状态下,根据前述窄散乱光之强度而计算第1之 PLS相当尺寸之步骤; 在前述宽散乱光之强度位处于既定之校准范围内 之状态下,根据前述宽散乱光之强度而计算第2之 PLS相当尺寸之步骤;以及 在前述窄散乱光和前述宽散乱光之任何一种强度 皆位处于前述之校准范围内之状态下,根据第1之 PLS相当尺寸和前述第2之PLS相当尺寸两者而判定存 在于前述检查点之光散乱体之种别之步骤。 图式简单说明: 图1A系显示本发明之某一实施形态之半导体晶圆 之检查装置之构造之侧剖面图,图1B系将显示藉由 光点所造成之半导体晶圆之表面扫描之状况之状 态予以显示之俯视图。 图2系显示由光检测器114、120所输出之光强度讯号 122、124之复数种形式之波形图。 图3A-图3D系说明位处在用以判别第2讯号处理装置 126B所进行之表面异常之种别之分析处理之根底之 最基本原理之图。 图4A-图4B系说明在藉由第2讯号处理装置126B所进行 之分析处理之用以判别LLS之种别之逻辑之图。 图5系说明第2EKD区域420之原理上之意义之图。 图6系显示藉由讯号处理装置126A和126B所进行之分 析处理之流程之图。 |
