| 主权项 |
1.一种奈米结构钻石散热片,系至少包含: 一钻石膜基板;以及 一奈米钻石结构层,系于由甲烷及氢气组成之反应 气体,温度介于25度至250度间,以及压力介于1mtorr至 1torr间之制程中形成于该钻石膜基板上。 2.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该钻石膜基板为多晶钻石膜基板、单 晶钻石膜基材及钻石/矽基材中择其一。 3.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该制程可为微波电浆辅助化学气相沉 积(MPECVD)。 4.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该反应气体系亦可由甲烷、氢气及氮 气组成。 5.依据申请专利范围第3项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该微波电浆辅助化学气相沉积之最佳 电浆功率参数为3000瓦(W)。 6.依据申请专利范围第3项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该微波电浆辅助化学气相沉积之最佳 基板偏压参数为-250伏特(V)。 7.依据申请专利范围第3项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该微波电浆辅助化学气相沉积之最佳 基板温度参数为200度(℃)。 8.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该奈米钻石结构层之奈米钻石结构形 状为管状、尖针状及棒状中择其一。 9.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该奈米钻石结构层之材料为单晶钻石 、多晶钻石、类钻石、单晶钻石管、针状钻石及 针状类钻石中择其一。 10.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该奈米钻石结构层之奈米钻石结构之 高度为介于0.4m至3.0m。 11.依据申请专利范围第1项所述之奈米结构钻石散 热片,其中,该奈米钻石结构层之奈米钻石结构之 深宽比可为32:1。 图式简单说明: 第1图,系本发明之奈米结构钻石散热片之结构示 意图。 第2图,系本发明之奈米结构钻石散热片之照片示 意图。 第3图,系本发明之红外线量测装置示意图。 第4图,系本发明之红外线量测结果数据示意图。 |
