具有未重叠双衬里的应变沟道场效应晶体管对的结构和方法

摘要

本发明提供了一种结构，其中半导体器件区具有第一部分和第二部分，以及设置在第一和第二部分中的器件。导电部件水平地在第一部分上但不在第二部分上延伸。介质区，设置在该部件上，具有基本上平坦的上表面，介质区基本上覆盖被器件占据的半导体器件区的所有区域。在被器件占据的基本所有区域上，介质阻挡层覆盖介质区的上表面。阻挡层适于基本上阻止一种或多种材料从阻挡层上扩散到介质区中。接触过孔延伸穿过阻挡层和介质区，接触过孔与部件和半导体器件区的第二部分中的至少一个导电连通。

主权项

1.一种结构，包括：半导体器件区，具有第一部分和第二部分，以及在所述第一和第二部分中设置的器件；导电部件，水平地在所述第一部分上但不在所述第二部分上延伸；介质区，覆盖所述部件和基本上覆盖被所述器件占据的所有区域，所述介质区具有基本上平坦的上表面；介质阻挡层，覆盖所述介质区的所述基本上平坦的上表面，所述阻挡层基本上覆盖被所述器件占据的所有所述区域，所述阻挡层适于基本上防止一种或多种材料从所述阻挡层上扩散到所述介质区中；接触过孔，延伸穿过所述阻挡层和所述介质区，所述接触过孔与所述部件和所述半导体器件区的所述第二部分中的至少一个导电连通。