| 发明名称 | 一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料，其特征在于所述合金坯料的横截面积在600～150000mm<SUP>2</SUP>；合金中Si的含量在13.5～30％重量；具有均匀细小的微观组织结构，Si颗粒弥散分布且平均尺寸＜5μm。在不添加任何变质剂的前提下，采用半连续铸造方法制备锭坯，经过后续热处理进行Si颗粒离散化，Si颗粒尺寸可通过热处理工艺调控。本发明方法可以低成本地获取大尺寸并且具有优良的精细微观结构和良好性能的过共晶高硅铝合金。 | ||
| 申请公布号 | CN1789456A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510119550.6 | 申请日期 | 2005.11.18 |
| 申请人 | 东北大学 | 发明人 | 于福晓;崔建忠;秦克;孙振国;王话 |
| 分类号 | C22C21/02(2006.01);B22D11/00(2006.01);B22D11/16(2006.01);C22F1/043(2006.01) | 主分类号 | C22C21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1、一种大尺寸过共晶高硅铝合金坯料，其特征在于所述合金坯料的横截面积在600～150000mm2；合金中Si的含量在13.5～30％重量；具有均匀细化的微观组织结构，Si颗粒弥散分布且平均尺寸＜5μm。 | ||
| 地址 | 110004辽宁省沈阳市和平区文化路11号3巷电磁过程研究实验室 | ||