| 发明名称 | 非挥发性存储单元以及相关操作方法 | ||
| 摘要 | 一种存储单元，其包括一N型阱，三P型掺杂区形成于该N型阱上，一介电层形成于该N型阱上以及该三P型掺杂区中的第一与第二掺杂区之间，一第一栅极形成于该介电层上，一电荷储存单元形成于该N型阱上以及该三P型掺杂区中的第二与第三掺杂区之间，以及一第二栅极，形成于该电荷储存单元上。 | ||
| 申请公布号 | CN1790717A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510082104.2 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 力旺电子股份有限公司 | 发明人 | 徐清祥;沈士杰;陈信铭;李海明 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);G11C11/34(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种存储单元，其包括：一N型阱；三P型掺杂区，形成于该N型阱上；一介电层，由二氧化硅氧化层所组成，形成于该N型阱上以及该三P型掺杂区中的第一与第二掺杂区之间；一第一栅极，形成于该介电层上；一电荷储存单元，形成于该N型阱上以及该三P型掺杂区中的第二与第三掺杂区之间；以及一第二栅极，形成于该电荷储存单元上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||