发明名称 |
晶体管及其制造和操作方法 |
摘要 |
提供了通过所施加的电压改变沟道物理性质的晶体管及其制造和操作方法。该晶体管包括在衬底上制备为线形状的第一导电层,依次堆叠在第一导电层上的相变层和第二导电层,在第二导电层上形成并分开预定空间的第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元,分别在第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元上形成的第三导电层和第四导电层,连接到第三导电层的字线,连接到第四导电层的位线,以及连接到字线的电压降低单元。 |
申请公布号 |
CN1790744A |
申请公布日期 |
2006.06.21 |
申请号 |
CN200510124729.0 |
申请日期 |
2005.11.16 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
赵重来;柳寅儆;李明宰 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种晶体管,包括:衬底;在所述衬底上制备为线的形状的第一导电层;依次堆叠在所述第一导电层上的相变层和第二导电层;在所述第二导电层上形成的第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元,其中所述第一和第二电流方向限制单元分开;分别在所述第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元上形成的第三导电层和第四导电层;连接到所述第三导电层的字线;连接到所述第四导电层的位线;以及连接到所述字线的电压降低单元。 |
地址 |
韩国京畿道 |