| 主权项 |
1.一种温度补偿衰减器,其包括: 一基体; 一薄膜热敏电阻,设置于该基体上; 输入端及输出端,分别连接至该薄膜热敏电阻之两 端;及 一薄膜电阻,其顶边与薄膜热敏电阻之底边相电连 接,其底边与接地端相电连接。 2.如申请专利范围第1项所述之温度补偿衰减器,其 中该薄膜电阻之两端分别与输入端及输出端连接 。 3.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减器 ,其中该薄膜电阻系薄膜热敏电阻,其温度特性与 上述基体上之薄膜热敏电阻之温度特性相反。 4.如申请专利范围第3项所述之温度补偿衰减器,其 中该薄膜热敏电阻系为具有负温度系数之热敏电 阻,该薄膜电阻系为具有正温度系数之热敏电阻。 5.如申请专利范围第3项所述之温度补偿衰减器,其 中该薄膜热敏电阻系为具有正温度系数之热敏电 阻,该薄膜电阻系为具有负温度系数之热敏电阻。 6.如申请专利范围第3项所述之温度补偿衰减器,其 中根据增益及电位补偿量,选择出满足衰减量、隔 离度及反射系数大小之薄膜热敏电阻及薄膜电阻 之数値及温度系数。 7.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减器 ,其中该薄膜热敏电阻、薄膜电阻之任何一种电阻 用分布参数之观点都可以看作串联、并联或串并 联之电阻复合体。 8.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减器 ,其中该薄膜热敏电阻及薄膜电阻之接触边之接触 形式为薄膜热敏电阻之一边及薄膜电阻之多边电 接触。 9.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减器 ,其中该薄膜热敏电阻及薄膜电阻之接触边之接触 形式为薄膜热敏电阻之多边及薄膜电阻之一边电 接触。 10.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减 器,其中该薄膜热敏电阻及薄膜电阻之接触边之接 触形式为薄膜热敏电阻之多边及薄膜电阻之多边 电接触。 11.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减 器,其中该温度补偿衰减器系制成表面实装型、引 线型或插接线型之结构。 12.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减 器,其中该温度补偿衰减器系采用印刷薄膜热敏电 阻及多层掩膜加工工艺集成至基体上。 13.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减 器,其中该薄膜热敏电阻、薄膜电阻、输入端、输 出端以及接地端在同一平面内。 14.如申请专利范围第1或2项所述之温度补偿衰减 器,其中该薄膜热敏电阻、薄膜电阻、输入端、输 出端以及接地端在不同的平面内。 图式简单说明: 第一图系具有分布参数电路结构之温度补偿衰减 器之第一可实施例之斜视图; 第二图系具有分布参数电路结构之温度补偿衰减 器之第一可实施例之电路原理图; 第三图系具有分布参数电路结构之温度补偿衰减 器之第二可实施例之斜视图; 第四图系具有分布参数电路结构之温度补偿衰减 器之第二可实施例之电路原理图; 第五图系温度变化时理想特性之串联热敏电阻値 与并联热敏电阻値之理论变化曲线; 第六图系温度变化时温度补偿衰减器之衰减量或 以增益表达时之增益量变化曲线; 第七图系温度补偿衰减器接入放大器前面补偿放 大器等器件增益变动之例;及 第八图系温度补偿衰减器接入主动元件前面补偿 主动元件之例。 |
