| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，在有效地抑制了蚀刻的偏差和邻近效应的情况下，不会引起层间绝缘膜的冲击击穿。设有具有收纳在元件分离区域(3a)的绝缘体的表面形状内的形状、在元件分离区域(3a)的绝缘体上由栅极层构成的假图形(7b)，假图形(7b)设置在包含比栅极层配置在上层上的布线层(10a)的正下方的下层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1790703A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510120104.7 | 申请日期 | 2005.11.02 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 砂入崇二 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L23/528(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，设有具有收纳在元件分离区域的绝缘体或与半导体基板相反导电型的阱的表面形状内的形状、在所述绝缘体上和/或所述阱上由栅极层构成的假图形。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||