| 发明名称 | 检测新旧掩膜版差别的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测新旧掩膜版差别的方法。利用缺陷检测设备来区别新旧两块掩膜板的不同图形，通过定义硅片上芯片的布局，在曝光后直接比较的两块不同掩膜板的图形。本发明的检测方法直观、精确度高，且所需的时间短，可用于检测新旧掩膜版的差别。 | ||
| 申请公布号 | CN1790655A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200410093012.X | 申请日期 | 2004.12.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈杰 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/00(2006.01);G03F1/00(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种检测新旧掩膜版差别的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在预备的光片上曝光要进行比较的两块不同掩膜版的图形；第二步，编检查缺陷机台检查文件；第三步，定义一个曝光单元内所检查的图形，并对硅片图形的明暗度进行测光，使检查缺陷机台得到最佳的光强；第四步，找到并定义硅片扫描对准所需的两个有特征的图形；第五步，定义该文件的模式及参数，并测试硅片，根据硅片的测试结果，即缺陷的多少来调整机台的感度值，使之找到我们所要求的缺陷；第六步，给文件命名并保存。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||