| 发明名称 | 具有区域化应力结构的金属氧化物半导体的场效晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种具有区域化应力结构的金属氧化物半导体的场效晶体管(MOSFET)。MOSFET主要包括位于源极与汲极区域上的高应力薄膜，且高应力薄膜未覆盖于闸极上，其中拉伸型式的应力薄膜用于在n型晶体管中，而压缩型式的应力薄膜使用于p型晶体管。本发明亦提供一种制造具有区域化应力结构的MOSFET的方法，主要包括下列步骤：形成具有闸极、源极与汲极的晶体管。接着在闸极、源极与汲极上形成高应力薄膜。然后移除位于闸极上的高应力薄膜，而留下源极与汲极上的高应力薄膜。最后在晶体管上形成接触蚀刻终止层。 | ||
| 申请公布号 | CN1790638A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510073332.3 | 申请日期 | 2005.05.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建豪;赵元舜;李资良;陈世昌 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种在半导体基材上制造半导体装置的方法，其特征在于其至少包含下列步骤：在一基材上形成一晶体管，该晶体管具有一源极与汲极区域、一闸极以及沿着该闸极侧边之间隙壁；在该晶体管上形成一高应力薄膜；以及移除该闸极上的该高应力薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 | ||