含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法

摘要

本发明提供在制造(Bi₂O₂)A_m－1B_mO_3m+1 (A＝Sr，Ba，Ca，Bi等，B＝Ti，Ta，Nb)所示的这种含Bi作为构成元素的多元素氧化物单晶时，能以与制造方法无关地制造结晶性优异的氧化物单晶的方法。在基板上预先堆积助熔剂，其中助熔剂是以摩尔比0＜CuO/Bi₂O₃＜2、0≤TiO/Bi₂O₃＜7/6的组合物构成的助熔剂，通过该助熔剂堆积层在基板上堆积单晶薄膜。或者，将含有原料和助熔剂组成制作为由上述摩尔比的组合物形成的熔液，将其冷却培养单晶。或者，在基板上堆积由CuO形成的助熔剂后，使用与目标膜组成相比，Bi过剩的Bi₆Ti₃O₁₂～Bi₈Ti₃O₁₂作为标靶，通过堆积，将Bi－Ti－O供应给该助熔剂堆积层，同时在基板上形成Bi₄Ti₃O₁₂的单结晶薄膜。

主权项

1.一种含铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法，其特征在于：在基板上预先堆积助熔剂，其中助熔剂是以摩尔比0＜CuO/Bi2O3＜2、0≤TiO/Bi2O3＜7/6的Bi2O3-CuO的2元体系或Bi2O3-CuO-TiO的3元体系组合物构成的助熔剂，通过该助熔剂堆积层在基板上堆积单晶薄膜。