| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种减小发射极层的宽度、高性能的半导体装置。该半导体装置包括：集电极层(2)，其形成在半导体基板(1)之上；含有硅的导电层(4)，其形成在集电极层之上；硅膜(5)，其形成在导电层(4)之上；发射极电极(7a)，其形成在硅膜(5)之上；侧面膜(9)，其覆盖发射极电极(7a)的侧面，所述发射极电极(7a)的底面高于侧面膜的下表面，所述硅膜的所述第2区域(5)的至少一部分位于导电层(4)与侧面膜(9)之间；杂质区域(10)，其与所述导电层相邻形成；和硅化物膜(8b)，其跨越所述第2区域(5)的所述侧面、导电层(4)的所述侧面和杂质区域(10)的所述表面形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1790736A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510119957.9 | 申请日期 | 2005.09.27 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 斋藤浩一;井原良和;小出辰彦;须磨大地 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01) | 主分类号 | H01L29/73(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板(1)；集电极层(2)，其形成在所述半导体基板(1)之上；含有硅的导电层(4)，其形成在所述集电极层之上，具有侧面；硅膜(5)，其形成在所述导电层(4)之上，包括具有发射极层功能的第1区域(6)、以及包括侧面的第2区域(5)；发射极电极(7a)，其形成在所述硅膜(5)之上，具有侧面、以及与所述硅膜的所述第1区域(6)相接触的底面(50)；侧面膜(9)，其覆盖所述发射极电极(7a)的所述侧面，具有下表面(60)，所述发射极电极(7a)的所述底面(50)与所述基板之间比所述侧面膜的所述下表面(60)与所述基板之间更分离，所述硅膜的所述第2区域(5)的至少一部分位于所述导电层(4)与所述侧面膜(9)之间，与所述导电层(4)和所述侧面膜(9)两者相接触；含有硅的杂质区域(10)，其与所述导电层相邻形成，具有表面，并具有外部基极层功能；以及硅化物膜(8b)，其跨越所述第2区域(5)的所述侧面、所述导电层(4)的所述侧面和所述杂质区域(10)的所述表面而形成。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||