发明名称 |
非易失性存储单元及其制造方法 |
摘要 |
一种非易失性存储单元,每个对称存储单元包括一基底、一隧穿氧化层、二浮置栅极、一介电层、多个间隙壁、一控制栅极、以及二分离栅极。其中,基底中至少形成有二源极与一介于二源极之间的漏极;隧穿氧化层形成于基底上;浮置栅极形成于隧穿氧化层上,且二浮置栅极分别介于漏极与二源极之间;介电层形成于二浮置栅极上;间隙壁分别形成于二浮置栅极的两侧壁;控制栅极形成于漏极上方,并位于二浮置栅极之间,且控制栅极延伸至形成于介电层上;二分离栅极分别位于二浮置栅极的外侧,以分别透过各浮置栅极与控制栅极相对而设。另外,本发明还提供一种上述非易失性存储单元的制造方法。 |
申请公布号 |
CN1260820C |
申请公布日期 |
2006.06.21 |
申请号 |
CN03102365.7 |
申请日期 |
2003.02.10 |
申请人 |
力晶半导体股份有限公司 |
发明人 |
张格滎;许正源 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01);H01L21/8239(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
戈泊;程伟 |
主权项 |
1.一种非易失性存储单元,其特征在于包含:一基底,它至少形成有一漏极与二源极,该漏极介于这些源极之间;一隧穿氧化层,它形成于该基底上;二浮置栅极,它形成于该隧穿氧化层上,且分别介于该漏极与这些源极之间;一介电层,它形成于这些浮置栅极上;多个间隙壁,它分别形成于这些浮置栅极的两侧壁;一控制栅极,它形成于该漏极上方,并位于这些浮置栅极之间,且该控制栅极延伸至形成于该介电层上;以及二分离栅极,它形成于该隧穿氧化层上,且分别位于这些浮置栅极的一侧以分别与该控制栅极相对而设。 |
地址 |
中国台湾 |