场致发射型电子源及其制造方法

摘要

电子源设有作为导电衬底的n型硅衬底、由氧化的多孔多晶硅构成的偏移层及作为导电薄膜的表面电极。表面电极的形成工艺包括在偏移层上形成Cr构成的第一层，在第一层上形成Au构成的第二层，并使这两层形成合金。表面电极具有对偏移层的较高粘附性和长期稳定性，与简单物质Cr相比，在接近发射电子能量的能量区中的能态密度更低，且电子很少散射，电子发射效率更高。

主权项

1.一种场致发射型电子源，包括：导电衬底；在所述导电衬底的一个表面上形成的强电场偏移层；及在所述强电场偏移层上形成的导电薄膜，其中通过在所述导电薄膜与所述导电衬底之间加一电压，使所述导电薄膜相对于所述导电衬底为正电极，从而从所述导电衬底注入所述强电场偏移层的电子在所述强电场偏移层中偏移，而将通过所述导电薄膜向外发射，其中所述导电薄膜包括第一材料和第二材料，其中，所述第一材料具有对所述强电场偏移层的高粘附性和高升华焓中的至少一个，所述第二材料在接近发射电子能量的能量区中的能态密度低于所述第一材料在接近发射电子能量的能量区中的能态密度，所述导电薄膜在接近发射电子能量的能量区中的能态密度低于所述第一材料在接近发射电子能量的能量区中的能态密度。