发明名称 Power semiconductor module
摘要 <p>Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit aktiven und passiven Bauelementen, insbesondere ein Stromrichtermodul. Bei der Erhöhung der Leistungsfähigkeit, der Zuverlässigkeit sowie der Lebensdauer bei gleichzeitig verringerten Herstellungskosten sind veränderte Methoden der Aufbautechnologien für die einzelnen Bestandteile eine zwingende Voraussetzung. Bei diesem Leistungshalbleitermodul wird zumindest teilweise auf Bondverbindungen zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleiterbauelement mit den Kontaktflächen des Substrats verzichtet, indem mindestens ein gehaustes Leistungshalbleiterbauelement (40), mit Kontaktelementen (410, 420) verbunden mit Kontaktflächen (220) eingesetzt wird. </p>
申请公布号 EP1351302(A3) 申请公布日期 2006.06.21
申请号 EP20030005024 申请日期 2003.03.06
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG 发明人 GOEBL, CHRISTIAN
分类号 H01L25/07;H01L23/40;H01L23/48;H01L25/03;H01L25/11;H05K1/03;H05K1/18;H05K3/32 主分类号 H01L25/07
代理机构 代理人
主权项
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