发明名称 |
用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法 |
摘要 |
用于形成存储电容器的方法包括:在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层;在该开口内形成接触栓塞;在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层;选择性地去除部分模制氧化物层,以在接触栓塞之上形成凹槽;在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层;在该钛层上形成氮化钛层;以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括:半导体衬底;层间绝缘层,位于半导体衬底上,具有形成在其上的接触栓塞;以及存储电极,位于接触栓塞上,包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。 |
申请公布号 |
CN1790675A |
申请公布日期 |
2006.06.21 |
申请号 |
CN200510118196.5 |
申请日期 |
2005.11.11 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金洛焕;曹永周;金晟泰;朴仁善;李铉德;李炫锡;郑正喜;金玄永;林炫锡 |
分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L29/92(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
林宇清;谢丽娜 |
主权项 |
1.一种形成存储电容器的方法,包括:在半导体衬底上形成层间绝缘层,该层间绝缘层包括位于其上延伸到半导体衬底的开口;在层间绝缘层上,在该开口内形成接触栓塞;在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层;选择性地除去部分模制氧化物层,以在接触栓塞之上形成凹槽,该凹槽具有下表面和侧面;在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层;以及在该钛层上形成氮氧化钛层。 |
地址 |
韩国京畿道 |