| 发明名称 | 三族氮化物晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示新三族氮化物基础场效晶体管(10)及高电子移动晶体管(30)，其高频响应特性提升。该较佳晶体管(10，30)由GaN/AlGaN制成及其阻挡层(18，38)表面有一介电层(22，44)。该介电层(22，44)有高比例之施主电子(68)将该阻挡层(18，38)之捕捉(69)中和，使该捕捉(69)无法减缓该晶体管(10，30)之高频响应。亦揭示一制造该晶体管(10，30)之新方法，该新方法利用溅射沉淀该介电层(18，38)。 | ||
| 申请公布号 | CN1260827C | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN01804529.4 | 申请日期 | 2001.02.01 |
| 申请人 | 美商克立股份有限公司;美国加利福尼亚大学董事会 | 发明人 | 吴益逢;詹奈棋;李马卡西;苏建;苏建 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L23/29(2006.01) | 主分类号 | H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种三族氮化物场效应晶体管，其特征在于，其包含：一高电阻非导电层(20)；一阻挡层(18)，其在所述该非导电层(20)上；源极接触、漏极接触和栅极接触(13，14，16)与所述阻挡层(18)电接触，所述栅极接触位于在所述源极接触和漏极接触之间的所述阻挡层之上，而所述接触(13，14，16)将所述阻挡层(18)部份表面暴露；以及一电子源层(22)在所述接触(13，14，16)间的阻挡层(18)表面上形成，该电子源层(22)具有高比例的施主电子(68)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||