| 发明名称 | 制造半导体器件的接触垫的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种形成半导体器件的接触垫的方法，其包括步骤：在硅衬底上形成多个相邻的导电层图案；在导电层图案的顶部上形成绝缘层；在该绝缘层上沉积充当硬掩模的材料层；在该硬掩模材料层上导电层图案之间形成光致抗蚀剂图案，以形成接触孔；藉由使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻该硬掩模材料层以形成该硬掩模，从而定义用以形成接触的区域；去除该光致抗蚀剂图案；藉由使用该硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻该绝缘层而将该硅衬底暴露，从而形成开口部分；在该开口部分上形成聚合物层；藉由实施回蚀处理去除该硬掩模与该聚合物层以暴露该硅衬底；以及在暴露的硅衬底上形成接触垫。 | ||
| 申请公布号 | CN1260777C | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200310119703.8 | 申请日期 | 2003.12.03 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣权 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的接触垫的方法，该方法包括以下步骤：形成位于硅衬底上的彼此相邻的多个导电层图案；在所述导电层图案的顶部上形成绝缘层；在该绝缘层上沉积充当硬掩模的材料层；在该硬掩模材料层上所述导电层图案之间形成光致抗蚀剂图案以形成接触孔；藉由使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻该硬掩模材料层以形成该硬掩模，从而定义用以形成接触的区域；去除该光致抗蚀剂图案；藉由使用该硬掩模充当蚀刻掩模来蚀刻该绝缘层从而形成开口部分，使该硅衬底暴露；在该开口部分上形成聚合物层；藉由实施回蚀处理将该硬掩模与该聚合物层去除，从而将该硅衬底暴露；以及在该暴露的硅衬底上形成接触垫。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||