化合物半导体装置

摘要

一种化合物半导体装置，用于高频器件的GaAs FET，为了缩小芯片尺寸、降低成本，将各接点电极沿芯片角配置为L型。为了更加缩小芯片尺寸、和提高高频特性，将各接点电极配置在芯片各角，FET在相对于芯片边呈45度倾斜配置。以此，芯片尺寸能更加缩小，可以实现比超高频的硅半导体的FET更便宜的GaAs FET。

主权项

1、一种化合物半导体装置，具有设置在化合物半导体基板表面的沟道区域和、连接在所述沟道区域表面的源极、漏极及栅极；设置了与所述源极、漏极及栅极分别连接的源极用接点电极、漏极用接点电极及栅极用接点电极，其特征在于，将所述源极用接点电极配置在芯片对角线上两个角部，将栅极及漏极用接点电极分别配置在芯片剩余的角部，使所述沟道区域的栅极、源极及漏极相对于芯片的边，呈30度到60度角倾斜配置。