等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置

摘要

本发明提供一种对SiOC层选择性高的蚀刻SiC层的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。在作为被处理物的半导体晶片W表面上，由上侧依次形成SiOC层(101)、SiC层(102)、Cu配线层(103)，在SiCO层(101)上，形成为形成通路的开口部(111)。将该SiOC层(101)作为掩膜，将NF₃/He/Ar的混合气体作为蚀刻气体，有选择地对SiC层(102)进行等离子体蚀刻，形成与开口部(111)连接的开口部(112)。

主权项

1.一种等离子体蚀刻方法，将蚀刻气体等离子体化，利用该等离子体对被处理物上形成的SiC层进行蚀刻，其中：所述蚀刻气体至少含有NF3气体、He气体和Ar气体。