| 发明名称 | 双异质外延SOI材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种双异质外延SOI材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延SOI材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1790680A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200410098933.5 | 申请日期 | 2004.12.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王启元;王俊;王建华 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种双异质外延SOI材料，是基于半导体单晶衬底上制备的双异质外延绝缘层上硅材料，其特征在于，包括：一种半导体衬底；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在半导体衬底上；一外延薄膜，该外延薄膜制作在绝缘薄膜上，形成双异质外延SOI材料。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||