| 发明名称 | 用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体 | ||
| 摘要 | 一种用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体，它的化学式为(NH<SUB>4</SUB>)<SUB>2</SUB>Ni(SO<SUB>4</SUB>)<SUB>2</SUB>·6H<SUB>2</SUB>O(简称ANSH)；采用水溶液降温法生长ANSH单晶，以二次蒸馏水为晶体生长溶剂，生长温度从65℃到30℃，用自发结晶的小晶体作为籽晶，晶体的生长速度控制在2-3mm/天，晶体的转动速度为30转/分(正反转)，生长槽的控温精度为0.05℃；该晶体在紫外区240nm处的透过率高，其脱水温度为96.06-220.6℃，热稳定性好，晶体缺陷少，所以可用于紫外光滤波器、光的波段选择开关、导弹防御系统报警器的紫外光传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN1260410C | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN01132614.X | 申请日期 | 2001.08.30 |
| 申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明人 | 苏根博;庄欣欣;王国富;贺友平;李征东;马锦波;李国辉 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01);C30B7/08(2006.01);G02B1/02(2006.01);G02B5/22(2006.01) | 主分类号 | C30B29/46(2006.01) |
| 代理机构 | 福州科扬专利事务所 | 代理人 | 徐开翟;林朝熙 |
| 主权项 | 1.一种用于紫外光滤波器的六水硫酸镍铵晶体的生长方法，采用水溶液降温法生长ANSH单晶，其特征在于：用摩尔比为1∶1的Ni(SO4)·6H2O和(NH4)2SO4合成ANSH的生长原料，以二次蒸馏水为晶体生长溶剂，配制成PH为4-5的饱和溶液；晶体的生长温度从65℃到30℃；采用自发结晶的小晶体作为籽晶；晶体的生长速度控制在2-3mm/天；晶体的转动速度为30转/分(正反转)；生长槽的控温精度为0.05℃。 | ||
| 地址 | 350002福建省福州市西河 | ||