发明名称 | 电擦除式可编程逻辑元件 | ||
摘要 | 本发明公开了一种电擦除式可编程逻辑元件,其包含有一P型衬底;一第一N型离子掺杂区,位于该P型衬底中;一第一栅极,其位于该P型衬底上并与该第一N型离子掺杂区相邻接,并且处于浮置状态,用来储存数据;一第二N型离子掺杂区,位于该P型衬底中并与该第一栅极相邻接;一第二栅极,作为控制栅极,位于该P型衬底上并与该第二N型离子掺杂区相邻接;一第三N型离子掺杂区,位于该P型衬底中并与该第二栅极相邻接。 | ||
申请公布号 | CN1260823C | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
申请号 | CN02154863.3 | 申请日期 | 2002.12.03 |
申请人 | 力旺电子股份有限公司 | 发明人 | 李昆鸿;徐清祥;金雅琴;沈士杰;何明洲 |
分类号 | H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种作为存储器的存储单元的电擦除式可编程逻辑元件,该电擦除式可编程逻辑元件包含有:一P型衬底;一第一N型离子掺杂区,位于该P型衬底中;在该第一N型离子掺杂区的一侧顺序形成在该P型衬底中的一第二N型离子掺杂区、一第三N型离子掺杂区和一第四N型离子掺杂区,其中所述第一、第二、第三和第四N型离子掺杂区彼此间隔开,且该第二N型离子掺杂区与该第三N型离子掺杂区电连接;一第一栅极,其位于该P型衬底上方并与该第一和第二N型离子掺杂区相邻接,并且处于浮置状态,用来储存该电擦除式可编程逻辑元件的数据;以及一第二栅极,其为该电擦除式可编程逻辑元件的控制栅极,位于该P型衬底上方并与该第三和第四N型离子掺杂区相邻接。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |