| 发明名称 | 氮化物半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。 | ||
| 申请公布号 | CN1790760A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510125404.4 | 申请日期 | 2001.07.06 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 小崎德也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||