| 发明名称 | 半导体器件及制造该器件的方法 | ||
| 摘要 | 本文本公开的是一种半导体器件，具有作为形成构造区域的岛半导体薄膜作为源极或漏极区与岛半导体薄膜的侧面接触的半导体薄膜以及制造该半导体器件的方法。由于制造供沟道形成区用的岛半导体薄膜和供作为源极或漏极的半导体薄膜不使用掺杂装置，制造成本得以降低。源极区或漏极区与作为沟道形成区的岛半导体薄膜的侧面接触，耗尽层不仅在薄膜的厚度方向而且横的方向上加宽了，从而由漏极电压形成的电场减弱了。因此可以支撑具有高度可靠性的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1790741A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510118808.0 | 申请日期 | 2005.10.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 本田达也 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：基片上的栅电极，所述栅电极上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜上的包含属于周期表中族13的元素的岛半导体膜；包含属于周期表中族15的元素的半导体膜，它与包含属于族13的元素的岛半导体膜的顶部表面和侧面的一部分相接触；以及所述包含属于族15的元素的半导体膜上的电极，其中包含属于族13的元素的所述岛半导体膜是沟道形成区；以及其中包含属于族15的元素的所述岛半导体膜是源极或漏极区。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||