CMOS SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ELEVATED SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME,申请号KR20040108060-传众专利搜索

发明名称	CMOS SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ELEVATED SOURCE AND DRAIN REGIONS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	KR20060069561(A)	申请公布日期	2006.06.21
申请号	KR20040108060	申请日期	2004.12.17
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	SHIN, DONG SUK;RHEE, HWA SUNG;UENO TETSUJI;LEE, HO;LEE, SEUNG HWAN
分类号	H01L27/092	主分类号	H01L27/092
代理机构		代理人
主权项
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