| 发明名称 | 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供含有具备易于控制阈值电压而且栅绝缘膜的可靠性优良的栅结构的绝缘栅型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。作成为这样的结构：形成N沟MISFET区和P沟MISFET区，作为N沟MISFET的栅电极具有第1金属硅化物膜(115)，作为P沟MISFET的栅电极具有第2金属硅化物膜(119)。首先，在在栅电极区上形成了第1金属硅化物膜(115)之后，在P沟MISFET区上形成第1金属膜(117)。接着，当进行热处理时，在P沟MISFET的栅电极上形成的第1金属膜(117)就与在其下边的第1金属硅化物膜(115)产生固相反应，把P沟MISFET的栅电极变换成第2金属硅化物膜(119)。 | ||
| 申请公布号 | CN1260817C | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200310103825.8 | 申请日期 | 2003.11.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 松尾浩司 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种含有绝缘栅型场效应晶体管的半导体器件，其特征在于：具有：半导体衬底；在上述半导体衬底上设置的把第1和第2元件区围起来的元件隔离区；N沟场效应晶体管，其在上述第1元件区上形成，并且至少其栅电极膜的与栅绝缘膜连接的区域用第1金属硅化物构成；P沟场效应晶体管，其在上述第2元件区上形成，并且其栅电极膜，包括与构成上述第1金属硅化物的金属不同的金属构成的第2金属硅化物、及作为上述第1金属硅化物的构成材料的金属，或包括上述第2金属硅化物、作为上述第1金属硅化物的构成材料的金属及硅含有量比上述第1金属硅化物少的第3金属硅化物，上述N沟场效应晶体管的栅电极膜的功函数，比上述P沟场效应晶体管的栅电极膜的功函数小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||