单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法

摘要

本发明提出一种单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法。该非挥发性存储器的存储胞为单栅极，其是在一P型或N型半导体基底上设置一晶体管及一电容结构，晶体管包含一第一导电栅极堆叠在一介电层表面，且二侧形成有离子掺杂区以作为源极及漏极，电容结构则包含一离子掺杂区及其上堆叠的介电层、第二导电栅极，且电容与晶体管的导电栅极是相电连接而形成存储胞的单浮接栅极。本发明由施以不同栅极电压会产生不同起始电压进而达成多比特储存的目的。

主权项

1.一种单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法，其是用改变栅极电压会产生不同起始电压以达成多比特储存的目的，其特征在于，该非挥发性存储器，包括一P型半导体基底，其上设置有一晶体管，该晶体管分别设置有做为源极及漏极的数第一离子掺杂区及一第一导电栅极，该P型半导体基底上并设置有一电容结构，其是包括一第二导电栅极及一第二离子掺杂区，且该第一导电栅极及该第二导电栅极相连接以形成一单浮接栅极，并施加一基底电压、一源极线电压、一漏极线电压及一控制栅极电压于该P型半导体基底、该源极、该漏极、该第一离子掺杂区上，该单栅极具多比特储存的非挥发性存储器的操作方法包括：施行一程序化过程，该源极电压是高于该基底电压，且远小于该控制闸电压。