| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，其包括：一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物，于该半导体基底上；一应变诱发层，于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有一大体低浓度的单核双原子化学键。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1790734A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510115965.6 | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴振诚;黄玉莲;卢永诚 |
| 分类号 | H01L29/02(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物于该半导体基底上；一应变诱发层于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有低浓度的单核双原子化学键。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||