一种发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。

主权项

1.一种发光二极管，包括蓝宝石衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN欧姆接触层、InGaN/GaN量子阱有源层、p型AlGaN载流子阻挡层、p型GaN欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极、n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极，其特征在于，所述p型欧姆接触电极是同心圆结构，在相邻同心圆结构的p型欧姆接触电极之间有环形沟槽。